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SiGe, High-Linearity, 2000MHz to 3900MHz
Downconversion Mixer with LO Buffer
Typical Operating Characteristics
(Typical Application Circuit with tuning elements outlined in Table 1, V CC = 5.0V, f RF = 2000MHz to 3000MHz, LO is high-side
injected for a 300MHz IF, P RF = -5dBm, P LO = 0dBm, T C = +25°C, unless otherwise noted.)
11
CONVERSION GAIN vs. RF FREQUENCY
T C = -30 ° C
11
CONVERSION GAIN vs. RF FREQUENCY
11
CONVERSION GAIN vs. RF FREQUENCY
10
9
8
7
6
T C = +25 ° C
T C = +85 ° C
10
9
8
7
6
P LO = -3dBm, 0dBm, +3dBm
10
9
8
7
6
V CC = 4.75V, 5.0V, 5.25V
2000
2200
2400
2600
2800
3000
2000
2200
2400
2600
2800
3000
2000
2200
2400
2600
2800
3000
26
RF FREQUENCY (MHz)
INPUT IP3 vs. RF FREQUENCY
26
RF FREQUENCY (MHz)
INPUT IP3 vs. RF FREQUENCY
26
RF FREQUENCY (MHz)
INPUT IP3 vs. RF FREQUENCY
T C = +85 ° C
P RF = -5dBm/TONE
P RF = -5dBm/TONE
P RF = -5dBm/TONE
25
24
T C = +25 ° C
25
24
P LO = -3dBm, 0dBm, +3dBm
25
24
V CC = 4.75V, 5.0V, 5.25V
23
22
T C = -30 ° C
23
22
23
22
2000
2200
2400
2600
2800
3000
2000
2200
2400
2600
2800
3000
2000
2200
2400
2600
2800
3000
12
11
10
9
RF FREQUENCY (MHz)
NOISE FIGURE vs. RF FREQUENCY
T C = +85 ° C
12
11
10
9
RF FREQUENCY (MHz)
NOISE FIGURE vs. RF FREQUENCY
12
11
10
9
RF FREQUENCY (MHz)
NOISE FIGURE vs. RF FREQUENCY
8
T C = +25 ° C
8
P LO = -3dBm, 0dBm, +3dBm
8
V CC = 4.75V, 5.0V, 5.25V
T C = -30 ° C
7
7
7
2000
2200
2400
2600
2800
3000
2000
2200
2400
2600
2800
3000
2000
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2400
2600
2800
3000
RF FREQUENCY (MHz)
RF FREQUENCY (MHz)
RF FREQUENCY (MHz)
10
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